ゆるふわ半導体
トランジスタの進化｜平面からFinFET・GAAへ
2026-08-09 ・ 入門
#FinFET#GAA#ナノシート#微細化
微細化が進むと、トランジスタは「平ら」から「立体」へと形を変えてきました。その進化を追います。
平面（プレーナ）型の限界
昔のMOSFETは、ゲートがチャネルを上の1面からしか制御していませんでした（プレーナ型）。小さくすると、ゲートを閉じても電流がもれるリークが増え、省エネと性能が両立できなくなりました。
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FinFET：3面から囲む
そこで登場したのがFinFET。チャネルをヒレ（フィン）のように立て、ゲートで3面から囲むことで制御力を高めました。22nm世代あたりから長く主役を務めました。
GAA：全周から囲む（2nmの主役）
さらに進んだのがGAA（ゲート・オール・アラウンド）。チャネルを板状（ナノシート）にして全周をぐるりと囲む構造です。制御力が最も高く、リークを抑えられます。
🦈
FinFET
- ヒレ状のチャネルを3面から囲む
- 22nm〜5nm世代の主役
- 微細化でヒレが増えて限界に
VS
🥪
GAA（ナノシート）
- 板状チャネルを全周から囲む
- 2nm世代の主役
- 電流ともれの両立に有利
💡
2026年の主戦場
TSMC N2・Samsung SF2・Intel（RibbonFET）・Rapidus——2nm世代の各社はいずれもGAA系を採用。トランジスタの形が世代の分かれ目になっています。