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プロセスノード(nm)とは?「2nm」の本当の意味

2026-08-06入門

#プロセスノード#nm#微細化

「TSMCの2nm」「Intel 18A」——ニュースで見るこの数字、実は少しクセがあります。

むかしは「線の幅」だった

プロセスノードは、もともとチップ上の配線やトランジスタの実際の寸法を表していました。90nm→65nm→45nm…と小さくなるほど、微細で高性能という分かりやすい指標でした。

今は「世代の呼び名」

ところが最近の「5nm」「3nm」「2nm」は、どこかの実寸法をそのまま指しているわけではありません。世代の目安・ブランド名に近く、各社で基準も違います。だから単純比較はできません。

⚠️

注意

「A社の3nm」と「B社の3nm」は同じ密度とは限りません。トランジスタ密度や性能で比べるのが正しい見方です。

小さいほど良い理由

28nm2011年ごろ7nm2018年ごろ3nm2022年ごろ2nm2025年〜小さくするほど「同じ面積に多く・速く・省エネ」。これが微細化競争
図: プロセスノードが小さくなるほど、同じ面積により多くのトランジスタを詰め込める(=速く・省エネに)

← 図は横にスクロールできます →

ノードを小さくすると、同じ面積により多くのトランジスタが入り、1個あたりが速く・省エネになります。下で体感してみましょう。

🔬 微細化スライダー

ノード(nm)を小さくすると、同じ面積に入るトランジスタが増えます。動かしてみましょう

7nm2018年ごろ)
大きい(昔)小さい(最新)

×12

28nm比の密度(ざっくり)

64

この面積に入る数(イメージ)

小さくするほど「多く・速く・省エネ」。ただし製造は難しくなり、EUVなど高価な装置が必要になります

呼び方の例(2026年時点)

🟢

N2

TSMCの2nm世代

🔵

18A

Intelの1.8nm相当

🟣

SF2

Samsungの2nm世代

数字の裏には各社の思惑もあります。だからこそ、中身(密度・電力・歩留まり)を見るクセをつけると、ニュースが立体的に読めます。

もう少し詳しく(背景)

「3nm」「2nm」といったプロセスノードの数字は、かつてはトランジスタの実際の寸法を表していましたが、今はもう物理的な長さと一致していません1。微細化が進むにつれ、単純な寸法では性能を表しきれなくなり、今では「世代の呼び名(マーケティング上のラベル)」に近いものになっています。だからメーカーが違うと同じ「5nm」でも中身が違うことがあり、単純比較は要注意です。とはいえ数字が小さくなる方向=微細化が進むと、同じ面積により多くのトランジスタを詰め込め、速く・省電力になるという大枠は変わりません2。近年は平面的な微細化が限界に近づき、トランジスタを立体構造にする(FinFET、その先のGAA)ことで性能を稼ぐ方向へ移っています。最先端ノードの開発には数千億〜兆円規模の投資が要り、作れる企業はTSMC・Samsung・Intelなど数社に絞られてきました。数字の細かさを追う競争は、ムーアの法則の現代版として、今も半導体産業の最前線を象徴しています。

つぎに読むなら

Footnotes

  1. 現在のノード名(3nm等)は実際の物理寸法とは一致せず、世代を示すラベルに近い。メーカー間で同じ数字でも構造・性能が異なるため、単純比較はできない。

  2. 微細化の本質的な利点は、集積度向上・高速化・低消費電力。平面微細化が限界に近づき、FinFETやGAAといった立体トランジスタ構造で性能を伸ばしている。

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