ゆるふわ半導体
露光とEUV｜半導体を「光で描く」しくみ
2026-08-08 ・ 入門
#EUV#露光#リソグラフィ#High-NA
微細化の主役は「光で回路を描く」技術、**露光（リソグラフィ）**です。ここが半導体づくりの一番の勝負どころ。
光でパターンを焼きつける
回路の設計図を描いた**マスク（原版）**に光を当て、レンズで縮小してウェハの感光材に転写します。写真の引き伸ばしの逆で、大きな原版を小さく焼きつけるイメージです。
← 図は横にスクロールできます →
細い線には短い波長が要る
細い線を描くには、波長の短い光が必要です。長く使われた紫外線（DUV）では限界に近づき、登場したのがEUV（極端紫外線）。波長わずか13.5nmの光で、より微細なパターンを描けます。
🌱
ASMLの独占
EUV露光装置を作れるのは、オランダのASMLただ1社。1台100億円以上、部品は世界中から集めます。だから半導体の地政学でも超重要な存在です。
次世代「High-NA EUV」
さらに小さく描くための次世代がHigh-NA EUV。光を集める力（開口数NA）を0.33→0.55に高め、1回で描ける最小寸法を13nm→8nmに縮めます。1台約400億円と非常に高価です。
🔬
13.5nm
EUVの波長
🎯
0.55
High-NAの開口数
💰
約400億円
High-NA装置1台
2026年時点では、Intelが世界で初めてHigh-NA EUVを使った量産ロジック製品を出荷し先行。一方TSMCはコストを理由に当面は採用を見送る構えで、戦略が分かれています。